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Titel:

Gate–Emitter Pre-threshold Voltage as a Health-Sensitive Parameter for IGBT Chip Failure Monitoring in High-Voltage Multichip IGBT Power Modules

Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Mandeya, Richard; Chen, Cuili; Pickert, Volker; Naayagi, R. T.; Ji, Bing
Zeitschriftentitel:
IEEE Transactions on Power Electronics
Jahr:
2019
Band / Volume:
34
Heft / Issue:
9
Seitenangaben Beitrag:
9158-9169
Volltext / DOI:
doi:10.1109/tpel.2018.2884276
Verlag / Institution:
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
E-ISSN:
0885-89931941-0107
Publikationsdatum:
01.09.2019
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