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- Titel:
Evaluating the Robustness of Complementary Channel Ferroelectric FETs Against Total Ionizing Dose Towards Radiation-Tolerant Embedded Nonvolatile Memory
- Dokumenttyp:
- Zeitschriftenaufsatz
- Autor(en):
- Jiang, Zhouhang; Guo, Zixiang; Luo, Xuyi; Sayed, Munazza; Faris, Zubair; Mulaosmanovic, Halid; Dünkel, Stefan; Soss, Steven; Beyer, Sven; Gong, Xiao; Kurinec, Santosh; Narayanan, Vijaykrishnan; Amrouch, Hussam; Zhang, En; Fleetwood, Daniel; Schrimpf, Ronald; Ni, Kai
- Zeitschriftentitel:
- IEEE Electron Device Letters (EDL)
- Jahr:
- 2023
- Band / Volume:
- PP
- Monat:
- 01
- Seitenangaben Beitrag:
- 1-1
- Volltext / DOI:
- doi:10.1109/LED.2023.3332071
BibTeX
Vorkommen:
- mediaTUM GesamtbestandEinrichtungenSchools TUM School of Computation, Information and TechnologyDepartmentsComputer EngineeringAI Processor Design (Prof. Amrouch)
- mediaTUM GesamtbestandHochschulbibliographie2023Schools und FakultätenTUM School of Computation, Information and TechnologyAI Processor Design (Prof. Amrouch)