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Original title:
Modelling and Design of a Monolithic Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Front-End-of Line Fin Field-Effect Transistor Micro-Electro-Mechanical-System
Translated title:
Modellierung und Design eines monolithischen Komplementär-Metalloxid-Halbleiter-kompatiblen mikroelektromechanischen Systems in Front-End-of-Line-Fin-Feldeffekttransistortechnologie
Author:
Hudeczek, Richard
Year:
2023
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
TUM School of Computation, Information and Technology
Advisor:
Eibert, Thomas F. (Prof. Dr.)
Referee:
Eibert, Thomas F. (Prof. Dr.); Hagelauer, Amelie (Prof. Dr.)
Language:
en
Subject group:
ELT Elektrotechnik
TUM classification:
ELT 710
Abstract:
Finite-element-method simulations and high-frequency silicon wafer characterisations of a monolithic resonant fin field-effect transistor are carried out to assess the viability of a commercial fabrication and its usage in integrated circuits. Literature reports suggest excellent figures of merit for this type of resonator, however, both the theoretical and experimental approaches are unable to confirm the functionality of the component.
Translated abstract:
Simulationen basierend auf der Finite-Elemente-Methode und Siliziumwafer-Messungen eines monolithischen resonanten Fin-Feldeffekttransistors werden durchgeführt, um die Realisierbarkeit einer kommerziellen Herstellung und seiner Verwendung in integrierten Schaltungen zu bewerten. Literaturberichte deuten auf hervorragende Leistungsindikatoren für diesen Resonatortyp hin, jedoch können sowohl die theoretischen als auch die experimentellen Ansätze die Funktionalität des Bauteils nicht bestätigen.
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1700660
Date of submission:
15.03.2023
Oral examination:
27.10.2023
File size:
74601886 bytes
Pages:
203
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20231027-1700660-1-9
Last change:
04.12.2023
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