Modelling and Design of a Monolithic Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Front-End-of Line Fin Field-Effect Transistor Micro-Electro-Mechanical-System

Hudeczek, Richard

Richard Hudeczek

Wenn Sie Schwierigkeiten haben, das Dokument zu öffnen, versuchen Sie auch bitte diesen Link

Originaltitel:: Modelling and Design of a Monolithic Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Compatible Front-End-of Line Fin Field-Effect Transistor Micro-Electro-Mechanical-System
Übersetzter Titel:: Modellierung und Design eines monolithischen Komplementär-Metalloxid-Halbleiter-kompatiblen mikroelektromechanischen Systems in Front-End-of-Line-Fin-Feldeffekttransistortechnologie
Autor:: Hudeczek, Richard
Jahr:: 2023
Dokumenttyp:: Dissertation
Fakultät/School:: TUM School of Computation, Information and Technology
Betreuer:: Eibert, Thomas F. (Prof. Dr.)
Gutachter:: Eibert, Thomas F. (Prof. Dr.); Hagelauer, Amelie (Prof. Dr.)
Sprache:: en
Fachgebiet:: ELT Elektrotechnik
TU-Systematik:: ELT 710
Kurzfassung:: Finite-element-method simulations and high-frequency silicon wafer characterisations of a monolithic resonant fin field-effect transistor are carried out to assess the viability of a commercial fabrication and its usage in integrated circuits. Literature reports suggest excellent figures of merit for this type of resonator, however, both the theoretical and experimental approaches are unable to confirm the functionality of the component.
Übersetzte Kurzfassung:: Simulationen basierend auf der Finite-Elemente-Methode und Siliziumwafer-Messungen eines monolithischen resonanten Fin-Feldeffekttransistors werden durchgeführt, um die Realisierbarkeit einer kommerziellen Herstellung und seiner Verwendung in integrierten Schaltungen zu bewerten. Literaturberichte deuten auf hervorragende Leistungsindikatoren für diesen Resonatortyp hin, jedoch können sowohl die theoretischen als auch die experimentellen Ansätze die Funktionalität des Bauteils nicht bestätigen.
WWW:: https://mediatum.ub.tum.de/?id=1700660
Eingereicht am:: 15.03.2023
Mündliche Prüfung:: 27.10.2023
Dateigröße:: 74601886 bytes
Seiten:: 203
Urn (Zitierfähige URL):: https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20231027-1700660-1-9
Letzte Änderung:: 04.12.2023
BibTeX