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Titel:

integrierter Schaltkreis mit modifizierbarem Gate-Stapel-Speicherelement, Verwendung des integrierten Schaltkreises, Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, sowie Speichermodul

Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
DE102007011837B4
Erfinder:
FRANZ KREUPL
Anmeldeland:
DE
Veröffentlichungsdatum / Patent:
29.01.2015
Jahr:
2015
Seiten/Umfang:
27 pages
Sprache:
de
Nachgewiesen in:
Web of Science
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX