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Titel:: integrierter Schaltkreis mit modifizierbarem Gate-Stapel-Speicherelement, Verwendung des integrierten Schaltkreises, Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, sowie Speichermodul
Dokumenttyp:: Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:: DE102007011837B4
Erfinder:: FRANZ KREUPL
Anmeldeland:: DE
Veröffentlichungsdatum / Patent:: 29.01.2015
Jahr:: 2015
Seiten/Umfang:: 27 pages
Sprache:: de
Nachgewiesen in:: Web of Science
TUM Einrichtung:: Hybride Elektronische Systeme
Format:: Text
BibTeX

Vorkommen:

integrierter Schaltkreis mit modifizierbarem Gate-Stapel-Speicherelement, Verwendung des integrierten Schaltkreises, Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises, sowie Speichermodul