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Titel:

PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SILICON DEPOSITED AT 80-DEGREES-C

Autor(en):
VEPREK, S; IQBAL, Z; OSWALD, HR; al., et
Zeitschriftentitel:
HELVETICA PHYSICA ACTA
Jahr:
1980
Band / Volume:
53
Heft / Issue:
4
Seitenangaben Beitrag:
624-624
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