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Titel:

Pseudomorphic growth of ultrathin cubic 3C-SiC films on Si(100) by temperature programmed organometallic chemical vapor deposition

Autor(en):
HOFMANN, J; VEPREK, S; HEINDL, J
Zeitschriftentitel:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Jahr:
1999
Band / Volume:
85
Heft / Issue:
5
Seitenangaben Beitrag:
2652-2657
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