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Titel:

MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER

Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
EP000002583322B1
Erfinder:
KREUPL FRANZ, US; FU CHU-CHEN, US; NIAN YIBO, US
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, US; FU CHU-CHEN, US; NIAN YIBO, US
Anmeldeland:
EU
Veröffentlichungsdatum / Patent:
05.04.2017
Jahr:
2017
Seiten/Umfang:
47
Sprache:
en
Nachgewiesen in:
Scopus
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX