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- Titel:
Verfahren zum Herstellung eines Schaltkreis-Arrays
- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- DE000010250830B4
- Erfinder:
- Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael
- Patentanmelder:
- Graham, Andrew, Hoffmann, Franz, Hönlein, Wolfgang, Kretz, Johannes, Kreupl, Franz, Landgraf, Erhard, Luyken, R. Johannes, Rösner, Wolfgang, Schulz, Thomas, Specht, Michael
- Abstract:
- Verfahren zum Herstellen eines Schaltkreis-Arrays mit einer Mehrzahl von nebeneinander und/oder übereinander ausgebildeten Feldeffekttransistoren, – bei dem eine erste Verdrahtungsebene mit mehreren Leiterbahnen und einer Mehrzahl von ersten Source-/Drain-Bereichen der Feldeffekttransistoren gebildet wird; – bei dem die erste Verdrahtungsebene planarisiert wird; – bei dem auf der planarisierten ersten Verdrahtungsebene eine erste Isolationsschicht gebildet wird, – bei dem die erste Isolatorsch... »
- Anmeldeland:
- de
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 26.02.2015
- Jahr:
- 2015
- Sprache:
- de
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX