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Titel:

Interpretation of Laser Absorption Measurements on 4H-SiC Bipolar Diodes by Numerical Simulation

Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Art des Konferenzbeitrags:
Vortrag / Präsentation
Autor(en):
Werber, D.; Wachutka, G.,
Seitenangaben Beitrag:
pp. 89-92
Kongress- / Buchtitel:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices - SISPAD `08
Kongress / Zusatzinformationen:
09.09.2008-11.09.2008, Hakone, Japan
Jahr:
2008
Sprache:
de
Format:
Text
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