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Titel:

PROPERTIES OF POLYCRYSTALLINE SILICON PREPARED BY CHEMICAL-TRANSPORT IN HYDROGEN PLASMA AT TEMPERATURES BETWEEN 80-DEGREES-C AND 400-DEGREES-C

Autor(en):
VEPREK, S; IQBAL, Z; OSWALD, HR; al., et
Zeitschriftentitel:
JOURNAL OF PHYSICS C-SOLID STATE PHYSICS
Jahr:
1981
Band / Volume:
14
Heft / Issue:
3
Seitenangaben Beitrag:
295-308
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