Fabrication, Optimization and Application of Complementary Multiple-Gate Tunneling FETs
Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Autor(en):
Fulde, M.; Heigl, A. ; Wirnshofer, M. ; v. Arnim, K. ; Nirschl, Th. ; Sterkel, M. ; Knoblinger, G. ; Hansch, W. ; Wachutka, G. ; Schmitt-Landsiedel, D.
Seitenangaben Beitrag:
pp. 946-951
Kongress- / Buchtitel:
IEEE International Nanoelectronics Conference - INEC2008, May 24-27 2008, Shanghai, China