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Originaltitel:
High Q nanomechanical resonators fabricated from crystalline silicon carbide
Übersetzter Titel:
Nanomechanische Saitenresonatoren mit hoher Güte aus hochverspanntem Siliciumcarbid
Autor:
Klaß, Yannick Sebastian
Jahr:
2022
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
TUM School of Computation, Information and Technology
Betreuer:
Weig, Eva (Prof. Dr.)
Gutachter:
Weig, Eva (Prof. Dr.); Scheer, Elke (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
PHY Physik
TU-Systematik:
TEC 030
Kurzfassung:
This work investigates high Q nanomechanical string resonators fabricated from crystalline 3C-SiC(111). We determine two growth-dependent material parameters: The Young's modulus and the tensile stress. Due to the high tensile stress, our SiC string resonators offer exceptional quality factors at room and low temperatures. We measure a constant loss angle over a broad frequency range with the help of a new dissipation model.
Übersetzte Kurzfassung:
In dieser Arbeit werden nanomechanische Saitenresonatoren aus kristallinem 3C-SiC(111) mit hoher Güte untersucht. Wir bestimmen das Elastizitätsmodul und die Zugspannung, welche beide vom Wachstumsprozess des Wafers abhängen. Aufgrund der hohen Zugspannung bieten SiC Stringresonatoren extreme Qualitätsfaktoren sowohl bei Raum- als auch bei Tieftemperatur. Mit Hilfe eines neuen Dissipationsmodells messen wir einen konstanten intrinsischen Qualitätsfaktor über einen breiten Frequenzbereich.
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1661330
Eingereicht am:
14.06.2022
Mündliche Prüfung:
12.09.2022
Dateigröße:
21147366 bytes
Seiten:
143
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220912-1661330-1-2
Letzte Änderung:
28.10.2022
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