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Titel:

Impact of the Activation of Carbon Vacancies at High Temperatures on the Minority Carrier Lifetimes in the Intrinsic Area of 4H-SiC PiN Rectifier

Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag
Art des Konferenzbeitrags:
Vortrag / Präsentation
Autor(en):
Lechner B.; Huang Y.; Wachutka G.
Seitenangaben Beitrag:
9-12
Kongress- / Buchtitel:
Proceedings of the 12th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM)
Kongress / Zusatzinformationen:
Smolencie, Slovakia
Datum der Konferenz:
21.10-24.10.2018
Jahr:
2018
Jahr / Monat:
2018-10
Monat:
Oct
Seiten:
9-12
Sprache:
en
TUM Einrichtung:
Lehrstuhl für Technische Elektrophysik
Eingabe:
20.11.2018
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