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- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- EP2583324 (A1)
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ [US]; FU CHU-CHEN [US]; NIAN YIBO [US]
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ [US]; FU CHU-CHEN [US]; NIAN YIBO [US]
- Titel:
- EP2583324 (A1) MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
- Anmeldeland:
- EU
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 24.04.2013
- Jahr:
- 2013
- Sprache:
- en
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX