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Titel:

TW 201212318 A Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement

Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
TW 201212318 A
Erfinder:
KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US
Anmeldeland:
TW
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
16.03.2012
Jahr:
2012
Sprache:
Sonstige
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX