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Titel:

Forming and training processes for resistance-change memory cell

Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
US 8216862 B2
Erfinder:
KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US
Anmeldeland:
US
Veröffentlichungsdatum / Patent:
10.07.2012
Jahr:
2012
Sprache:
en
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX