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Titel:

TW 201212319 A Composition of memory cell with resistance-switching layers

Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
TW 201212319 A
Erfinder:
BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US
Patentanmelder:
BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US KREUPL FRANZ, DE MAKALA RAGHUVEER S, IN RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US
Anmeldeland:
TW
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
16.03.2012
Jahr:
2012
Sprache:
Sonstige
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX