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- Titel:
Method for Fabricating a Nanoelement Field Effect Transistor with Surrounded Gate Structure
- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- US 7425487 (B2)
- Erfinder:
- KREUPL, FRANZ [DE]; SEIDEL, ROBERT [DE]
- Anmeldeland:
- USA
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 12.01.2010
- Jahr:
- 2010
- Sprache:
- de
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX