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Titel:

Memory cell with resistance-switching layers

Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
US 8737111 B2
Erfinder:
Kreupl; Franz (Munchen, DE), Costa; Xiying (San Jose, CA), Kai; James (Santa Clara, CA), Makala; Raghuveer S. (Sunnyvale, CA)
Patentanmelder:
Kreupl; Franz (Munchen, DE), Costa; Xiying (San Jose, CA), Kai; James (Santa Clara, CA), Makala; Raghuveer S. (Sunnyvale, CA)
Anmeldeland:
US
Veröffentlichungsdatum / Patent:
27.05.2014
Jahr:
2014
Sprache:
en
Nachgewiesen in:
Scopus
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
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