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- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- US 8395927 B2
- Erfinder:
- FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YIBO, US
- Patentanmelder:
- FU CHU-CHEN, US KREUPL FRANZ, DE NIAN YIBO, US
- Titel:
- Memory cell with resistance-switching layers including breakdown layer
- Anmeldeland:
- US
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 12.03.2013
- Jahr:
- 2013
- Sprache:
- en
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX