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Titel:

Memory Cell With Resistance-Switching Layers

Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
JP2013534723 (A)
Erfinder:
KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US]
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ [DE]; BANDYOPADHYAY ABHIJIT [US]; CHEN YUNG TIN [US]; FU CHU CHEN [US]; JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI [US]; KAI JAMES [US]; MAKALA RAGHUVEER S [IN]; RABKIN PETER [US]; SAMACHISA GEORGE [US]; ZHANG JINGYAN [US]
Anmeldeland:
JP
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
05.09.2013
Jahr:
2013
Nachgewiesen in:
Scopus
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX