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- Titel:
[EN] Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement
- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- CN000102986048A
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, SHRIVASTAVA RITU
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, SHRIVASTAVA RITU
- Anmeldeland:
- CN
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 20.03.2013
- Jahr:
- 2013
- Sprache:
- ch
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX