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- Titel:
[EN] MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- CN000103003971A
- Erfinder:
- FU CHU-CHEN, KREUPL FRANZ, NIAN YIBO
- Patentanmelder:
- FU CHU-CHEN, KREUPL FRANZ, NIAN YIBO
- Anmeldeland:
- CN
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 27.03.2013
- Jahr:
- 2013
- Nachgewiesen in:
- Scopus
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX