- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- US 7915603 B2
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ [DE]
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ [DE]
- Titel:
- Modifiable gate stack memory element
- Anmeldeland:
- USA
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 29.03.2011
- Jahr:
- 2011
- Sprache:
- de
- WWW:
- http://www.hes.ei.tum.de/index.php?id=13
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX