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Titel:

Memory Cell With Resistance-Switching Layers Including Breakdown Layer

Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
US2011310656 (A1)
Erfinder:
KREUPL FRANZ [DE]; FU CHU-CHEN [US]; NIAN YIBO [US]
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ [DE]; FU CHU-CHEN [US]; NIAN YIBO [US]
Anmeldeland:
US
Anmeldenummer:
US2011310656 (A1)
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
22.12.2011
Jahr:
2011
Sprache:
en
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX