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- Titel:
MEMORY CELL WITH RESISTANCE-SWITCHING LAYERS INCLUDING BREAKDOWN LAYER
- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- WO002011159584A1
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, US FU CHU-CHEN, US NIAN YIBO, US
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, US FU CHU-CHEN, US NIAN YIBO, US
- Anmeldeland:
- WO
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 22.12.2011
- Jahr:
- 2011
- Seiten/Umfang:
- 79 pages
- Sprache:
- en
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX