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Titel:

Memory Cell With Resistance-Switching Layers

Dokumenttyp:
Patentanmeldung
Patentanmeldung Nr.:
US020110310653A1
Erfinder:
KREUPL FRANZ, DE COSTA XIYING, US KAI JAMES, US MAKALA RAGHUVEER S, US
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, DE COSTA XIYING, US KAI JAMES, US MAKALA RAGHUVEER S, US
Anmeldeland:
US
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
22.12.2011
Jahr:
2011
Sprache:
en
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX