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Titel:

Vertically integrated field-effect transistor having a nanostructure therein

Dokumenttyp:
Patent
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
US 7709827 B2
Erfinder:
GRAHAM ANDREW, DE HOFMANN FRANZ, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN JOHANNES RICHARD, DE ROESNER WOLFGANG, US SCHULZ THOMAS, US SPECHT MICHAEL, DE
Anmeldeland:
USA
Veröffentlichungsdatum / Patent:
04.05.2010
Jahr:
2010
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme
Format:
Text
 BibTeX