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Originaltitel:
Untersuchungen zur Temperaturabhängigkeit des Widerstandsverhaltens memristiver Bauelemente auf der Basis von TiO2
Übersetzter Titel:
Investigations on the temperature dependence of the resistance behaviour of memristive devices on the basis of TiO2
Autor:
Reiser, Daniel Ludwig
Jahr:
2024
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
TUM School of Computation, Information and Technology
Institution:
Molekularelektronik (Prof. Tornow)
Betreuer:
Tornow, Marc (Prof. Dr.)
Gutachter:
Tornow, Marc (Prof. Dr.); Eisele, Ignaz (Prof. Dr.)
Sprache:
de
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
TU-Systematik:
ELT 363
Kurzfassung:
Es wurden digital und analog schaltende Memristoren in Form von Titandioxid zwischen Aluminium- und / oder Platin-Elektroden hergestellt. Bei digitalen Memristoren verursachte ein Temperaturanstieg ein spontanes, zurücksetzbares Schalten des elektrischen Widerstands, ein hoher Strom eine lokale Migration des Bottom-Elektroden-Materials auf die Top-Elektrode. Simulationen (Kooperation mit Politecnico di Milano) konnten ersteren Effekt durch inhomogene Ionen-Diffusion und unterschiedliche Ionenmigrations-Aktivierungsenergien im TiO2 erklären.
Übersetzte Kurzfassung:
Digital and analogue switching memristors were produced in form of titanium dioxide between aluminium and / or platinum electrodes. In the case of digital memristors, an increase in temperature caused a spontaneous, resettable switching of the electrical resistance, while a high current caused a local migration of the bottom electrode material to the top electrode. Simulations (cooperation with Politecnico di Milano) could explain the former effect by inhomogeneous ion diffusion and different ion migration activation energies in TiO2.
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1719199
Eingereicht am:
23.08.2023
Mündliche Prüfung:
17.04.2024
Dateigröße:
46900762 bytes
Seiten:
192
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20240417-1719199-1-0
Letzte Änderung:
10.05.2024
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