We have studied the charge transport in thin films of copper sulfide and Si nanocrystals (NCs). The electronic properties of the copper sulfide NCs can be controlled by chemical surface treatments and thermal annealing. The Si NC films exhibit a variation of the conductivity due to percolation effects. The electronic transport properties are constant in the whole active volume of the Si NC films, whereas the surface layer is electrically insulating. The charge transport is mediated by trap states giving rise to intra-NC and inter-NC hopping charge transfer.     «

We have studied the charge transport in thin films of copper sulfide and Si nanocrystals (NCs). The electronic properties of the copper sulfide NCs can be controlled by chemical surface treatments and thermal annealing. The Si NC films exhibit a variation of the conductivity due to percolation effects. The electronic transport properties are constant in the whole active volume of the Si NC films, whereas the surface layer is electrically insulating. The charge transport is mediated by trap state...     »

Diese Arbeit untersucht Ladungstransport-Eigenschaften dünner Filme aus Kupfersulfid und Si Nanokristallen (NKs). Die elektronischen Eigenschaften der Kupfersulfid NKs können mittels chemischer und thermischer Behandlungen modifiziert werden. Die Leitfähigkeit der Si NK Filme ist auf Grund von Perkolationseffekten schichtdickenabhängig. Die elektronischen Eigenschaften sind im aktiven Volumen konstant, die Oberfläche der Si NK Filme ist isolierend. Trap-Zustände dominieren den Ladungstransport innerhalb und zwischen benachbarten NKs.     «

Diese Arbeit untersucht Ladungstransport-Eigenschaften dünner Filme aus Kupfersulfid und Si Nanokristallen (NKs). Die elektronischen Eigenschaften der Kupfersulfid NKs können mittels chemischer und thermischer Behandlungen modifiziert werden. Die Leitfähigkeit der Si NK Filme ist auf Grund von Perkolationseffekten schichtdickenabhängig. Die elektronischen Eigenschaften sind im aktiven Volumen konstant, die Oberfläche der Si NK Filme ist isolierend. Trap-Zustände dominieren den Ladungstransport i...     »