In this thesis, we investigate the fabrication and characterization of GaAs-based nanowires and their heterostructures with the aim to realize optically highly efficient emitters with one- and zero-dimensional electronic structure. We develop a versatile reverse-reaction growth scheme to produce ultrathin GaAs nanowires with record low diameters down to ∼ 7 nm and identify that crystal defects in the ultrathin 1D-like nanowires act as quantum dot emission centers.
Übersetzte Kurzfassung:
Im Rahmen dieser Doktorarbeit untersuchen wir die Fabrikation und Charakterisierung von GaAs-basierten Nanodrähten und deren Heterostrukturen, mit dem Ziel hocheffiziente optische Emitter mit einer ein- und nulldimensionalen elektronischen Struktur zur realisieren. Wir entwickeln ein neuartiges und vielseitig anwendbares Wachstumsschema mit welchem wir ultradünne Nanodrahtdurchmesser von ∼ 7 nm erreichen und schlussfolgern, dass Kristalldefekte in den ultradünnen 1D Nanodrähten die Emissionseigenschaften von Quantenpunkten widerspiegeln.
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Im Rahmen dieser Doktorarbeit untersuchen wir die Fabrikation und Charakterisierung von GaAs-basierten Nanodrähten und deren Heterostrukturen, mit dem Ziel hocheffiziente optische Emitter mit einer ein- und nulldimensionalen elektronischen Struktur zur realisieren. Wir entwickeln ein neuartiges und vielseitig anwendbares Wachstumsschema mit welchem wir ultradünne Nanodrahtdurchmesser von ∼ 7 nm erreichen und schlussfolgern, dass Kristalldefekte in den ultradünnen 1D Nanodrähten die Emissionseige...
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Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology = Ausgewählte Probleme der Halbleiterphysik und Technologie