Spin-spin interactions in various semiconductor materials have been investigated via Electron Spin Resonance measurements. The spin localization radius of "dangling bond" defects in isotopically enriched amorphous germanium was extracted from hyperfine interactions with a large number of nuclear spins. In n-type diamond, hyperfine interactions with the phosphorus nuclear spin enabled the characterization of electrically active centers. Investigations of the magnetic properties and the energy level of Mn-acceptors in gallium nitride and aluminum nitride showed in contrast to theoretical predictions that one cannot expect ferromagnetic coupling via extended states in these materials.     «

Spin-spin interactions in various semiconductor materials have been investigated via Electron Spin Resonance measurements. The spin localization radius of "dangling bond" defects in isotopically enriched amorphous germanium was extracted from hyperfine interactions with a large number of nuclear spins. In n-type diamond, hyperfine interactions with the phosphorus nuclear spin enabled the characterization of electrically active centers. Investigations of the magnetic properties and the energy lev...     »

Mit Elektronenspinresonanz wurden Spin-Spin-Wechselwirkungen in verschiedenen Halbleitermaterialien untersucht. In isotopenangereichertem amorphem Germanium konnte der Spinlokalisierungsradius von "dangling bond" Zuständen aus Hyperfeinwechselwirkungen mit einer großen Anzahl von Kernspins bestimmt werden. Die Hyperfeinwechselwirkung mit dem Kernspin von Phosphor ermöglichte die Charakterisierung von elektrisch aktiven Zentren in n-Typ Diamant. Die magnetischen Eigenschaften und energetische Lage von Mangan-Akzeptoren in Gallium-Nitrid und Aluminium-Nitrid zeigten, dass für diese Materialien entgegen theoretischer Vorhersagen nicht mit einer ferromagnetischen Kopplung durch freie Ladungsträger zu rechnen ist.     «

Mit Elektronenspinresonanz wurden Spin-Spin-Wechselwirkungen in verschiedenen Halbleitermaterialien untersucht. In isotopenangereichertem amorphem Germanium konnte der Spinlokalisierungsradius von "dangling bond" Zuständen aus Hyperfeinwechselwirkungen mit einer großen Anzahl von Kernspins bestimmt werden. Die Hyperfeinwechselwirkung mit dem Kernspin von Phosphor ermöglichte die Charakterisierung von elektrisch aktiven Zentren in n-Typ Diamant. Die magnetischen Eigenschaften und energetische Lag...     »