Login
- Title:
Temperature dependence of electrical characteristics of Pt/GaN Schottky diode fabricated by UHV e-beam evaporation
- Document type:
- Zeitschriftenaufsatz
- Author(s):
- A. Kumar; S. Arafin; M.-C. Amann and R. Singh
- Journal title:
- Nanoscale research letters
- Year:
- 2013
- Journal volume:
- 8
- Pages contribution:
- 481
- Reviewed:
- ja
- Fulltext / DOI:
- doi:10.1186/1556-276X-8-481
BibTeX
Occurrences:
- mediaTUM GesamtbestandEinrichtungenForschungszentrenZentralinstitut für Physikalische Grundlagen d. Halbleiterelektronik - Walter Schottky Institut (WSI)Halbleitertechnologie (Prof. Belkin)Publications2013
- mediaTUM GesamtbestandHochschulbibliographie2013Zentrale EinrichtungenZentralIinstitut für physikalische Grundlagen der Halbleiterelektronik
- mediaTUM GesamtbestandHochschulbibliographie2013FakultätenElektrotechnik und InformationstechnikLehrstuhl für Halbleitertechnologie (Prof. Amann)