GaInAs/GaAsSb-based type-II micro-cavity LED with 2-3 µm light emission grown on InP substrate

Grasse, C.; Gründl, T.; Sprengel, S.; Wiecha, P.; Vizbaras, K.; Meyer, R.; Amann, M. C.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2012.07.001

Titel:: GaInAs/GaAsSb-based type-II micro-cavity LED with 2-3 µm light emission grown on InP substrate
Autor(en):: Grasse, C.; Gründl, T.; Sprengel, S.; Wiecha, P.; Vizbaras, K.; Meyer, R.; Amann, M. C.
Zeitschriftentitel:: Journal of Crystal Growth
Jahr:: 2012
Band / Volume:: 370
Seitenangaben Beitrag:: 240-243
Volltext / DOI:: doi:10.1016/j.jcrysgro.2012.07.001
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