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Titel:

Single-Layer MoS2-Based Atomristor’s Resistive Switching Model for SET Sweep with Density Functional Theory Simulations

Dokumenttyp:
Zeitschriftenaufsatz
Autor(en):
Turfanda, Aykut; Gagliardi, Alessio
Zeitschriftentitel:
ACS Applied Electronic Materials
Jahr:
2025
Band / Volume:
7
Heft / Issue:
9
Seitenangaben Beitrag:
3795-3809
Volltext / DOI:
doi:10.1021/acsaelm.5c00061
Verlag / Institution:
American Chemical Society (ACS)
E-ISSN:
2637-61132637-6113
Publikationsdatum:
17.04.2025
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