The positively polarized silicon|oxide|electrolyte interface of n-type and p-type silicon was investigated in the oscillatory domain. An ellipsometric microscope was built that allowed the oxide layer thickness during the electrodissolution in fluoride containing electrolyte to be imaged in situ. The analysis of the spatially averaged system revealed that the oscillations emerge in a Hopf bifurcation, which in combination with the dependency of the etch rate on the electrical field formed the basis for the derivation of a mathematical model of the oscillatory instability. In the case of n-type silicon, a novel type of oscillations accompanied by an unusual subharmonic cluster pattern was observed. The base mode of the local oxide layer thickness oscillations was locked to the current density, and the subharmonic modes showed moving Bloch domains or immobile labryrinthine Ising domains.     «

The positively polarized silicon|oxide|electrolyte interface of n-type and p-type silicon was investigated in the oscillatory domain. An ellipsometric microscope was built that allowed the oxide layer thickness during the electrodissolution in fluoride containing electrolyte to be imaged in situ. The analysis of the spatially averaged system revealed that the oscillations emerge in a Hopf bifurcation, which in combination with the dependency of the etch rate on the electrical field formed the ba...     »

Die positiv-polarisierte Silizium|Oxid|Elektrolyt-Grenzfläche von n-dotiertem und p-dotiertem Silizium wurde im oszillierenden Parameterbereich untersucht. Um die Oxidschichtdickendynamik bei anodischer Elektrooxidation in flusssäurehaltiger Elektrolytlösung in-situ abbilden können, wurde ein ellipsometrisches Mikroskop aufgebaut. Die Analyse des räumlich gemittelten Systems zeigte die Entstehung von Oszillationen aus einer Hopf-Bifurkation, die zusammen mit der Abhängigkeit der Ätzrate vom elektrischen Feld die Grundlage für ein mathematischen Modell zur Beschreibung der Oszillationen bildete. Bei n-dotiertem Silizium wurde zusätzlich eine neue Art von Oszillationen entdeckt, die mit ungewöhnlichen, subharmonischen Clustermustern einhergingen. Die Basismode der lokalen Oszillation der Oxidschichtdicke war dabei mit der Stromdichte phasengekoppelt. Dabei zeigten die subharmonischen Moden bewegliche Bloch-Domänen oder unbewegliche, labyrinthartige Ising-Domänen.     «

Die positiv-polarisierte Silizium|Oxid|Elektrolyt-Grenzfläche von n-dotiertem und p-dotiertem Silizium wurde im oszillierenden Parameterbereich untersucht. Um die Oxidschichtdickendynamik bei anodischer Elektrooxidation in flusssäurehaltiger Elektrolytlösung in-situ abbilden können, wurde ein ellipsometrisches Mikroskop aufgebaut. Die Analyse des räumlich gemittelten Systems zeigte die Entstehung von Oszillationen aus einer Hopf-Bifurkation, die zusammen mit der Abhängigkeit der Ätzrate vom elek...     »