Torque magnetometry at low temperature is performed to investigate the magnetic properties of MnSi thin films, of a CrB₂ single crystal and of a two-dimensional electron system (2DES) formed at the interface of MgZnO/ZnO. The magnetic anisotropy and phase diagram of MnSi as well as information on the electronic structure of CrB₂ are obtained. The MgZnO/ZnO 2DES exhibits the de Haas-van Alphen effect and non-equilibrium currents which are analyzed in order to determine ground state properties and excited states, respectively.     «

Torque magnetometry at low temperature is performed to investigate the magnetic properties of MnSi thin films, of a CrB₂ single crystal and of a two-dimensional electron system (2DES) formed at the interface of MgZnO/ZnO. The magnetic anisotropy and phase diagram of MnSi as well as information on the electronic structure of CrB₂ are obtained. The MgZnO/ZnO 2DES exhibits the de Haas-van Alphen effect and non-equilibrium currents which are analyzed in order to determine ground state properties an...     »

Die magnetischen Eigenschaften von MnSi-Dünnfilmen, von CrB₂-Einkristallen und von einem zweidimensionalen Elektronensystem (2DES) an der Grenzfläche von MgZnO/ZnO werden mit Drehmoment-Magnetometrie untersucht. Das magnetische Phasendiagramm und die magnetische Anisotropie von MnSi werden ermittelt und es werden Informationen über die elektronische Struktur von CrB₂ erhalten. Grundzustandseigenschaften und angeregte Zustände des 2DESs in MgZnO/ZnO werden durch Analyse des de Haas-van Alphen Effekts bzw. der Nicht-Gleichgewichtsströme bestimmt.      «

Die magnetischen Eigenschaften von MnSi-Dünnfilmen, von CrB₂-Einkristallen und von einem zweidimensionalen Elektronensystem (2DES) an der Grenzfläche von MgZnO/ZnO werden mit Drehmoment-Magnetometrie untersucht. Das magnetische Phasendiagramm und die magnetische Anisotropie von MnSi werden ermittelt und es werden Informationen über die elektronische Struktur von CrB₂ erhalten. Grundzustandseigenschaften und angeregte Zustände des 2DESs in MgZnO/ZnO werden durch Analyse des de Haas-van Alphen E...     »