In this work, low-dimensional heterostructures based on GaAs nanowires are investigated. The nanowires are synthesized by means of Molecular Beam Epitaxy in a process avoiding the use of external catalyst materials. Growth of axial heterostructures formed by segments of InGaAs material is investigated and the optical properties of such nanowires are studied with micro-photoluminescence spectroscopy. Another type of axial heterostructure characterized by a change in crystal symmetry from cubic zinc-blende to hexagonal wurtzite structure can statistically form in GaAs nanowires. A new method is used in order to characterize such structures by correlation of Transmission Electron Microscopy and micro-photoluminescence spectroscopy. This method allows estimation of the band-gap of wurtzite GaAs and the band-offsets between the two phases.    «

In this work, low-dimensional heterostructures based on GaAs nanowires are investigated. The nanowires are synthesized by means of Molecular Beam Epitaxy in a process avoiding the use of external catalyst materials. Growth of axial heterostructures formed by segments of InGaAs material is investigated and the optical properties of such nanowires are studied with micro-photoluminescence spectroscopy. Another type of axial heterostructure characterized by a change in crystal symmetry from cubic z...    »

In dieser Arbeit werden auf GaAs Halbleiternanodrähten basierende niedrigdimensionale Heterostrukturen untersucht. Die Synthese der Nanodrähte erfolgt mit Molekularstrahlepitaxie in einem Verfahren ohne externes Katalysatormaterial. Das Wachstum von InGaAs Segmenten in den Nanodrähten wird untersucht und die optischen Eigenschaften der dadurch gebildeten axialen Heterostrukturen mittels Mikrophotolumineszenz-Spektroskopie charakterisiert. Eine weitere statistisch in GaAs Nanodrähten auftretende axiale Heterostruktur zeichnet sich durch eine Änderung der Kristallsymmetrie von kubischer Zinkblende zu hexagonaler Wurtzit-Struktur aus. Ein neues Verfahren zur Untersuchung solcher Strukturen durch Korrelation aus Transmissionselektronenmikroskopie und Mikrophotolumineszenz wird vorgestellt. Dies erlaubt die Bestimmung der Bandlücke von Wurtzit-GaAs und der Banddiskontinuitäten zwischen beiden Phasen.    «

In dieser Arbeit werden auf GaAs Halbleiternanodrähten basierende niedrigdimensionale Heterostrukturen untersucht. Die Synthese der Nanodrähte erfolgt mit Molekularstrahlepitaxie in einem Verfahren ohne externes Katalysatormaterial. Das Wachstum von InGaAs Segmenten in den Nanodrähten wird untersucht und die optischen Eigenschaften der dadurch gebildeten axialen Heterostrukturen mittels Mikrophotolumineszenz-Spektroskopie charakterisiert. Eine weitere statistisch in GaAs Nanodrähten auftretende...    »