Durch die Verwendung von rauscharmen Elektrolyt-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistoren auf einem CMOS-Chip konnten Spannungsfluktuationen im Spalt zwischen Zellmembran und Chipoberfläche detektiert werden. Die theoretische Betrachtung der beitragenden Rauschprozesse berücksichtigte die Einflüsse von Schichtwiderstand, Ionenkanälen und der Bindung von Protonen an die Oxidoberfläche. Im Experiment wurde gezeigt, dass die Bindung von Protonen einen nicht zu vernachlässigenden Beitrag zum Rauschen liefert. Bei den Zelllinien HEK293 und MDCK-II und bei Schneckenneuronen konnte der Schichtwiderstand aus den Rauschdaten ortsaufgelöst bestimmt werden. An einer Kaninchenretina war es möglich aus dem Rauschen auf die für Neurointerfacing wichtige Güte des Kontaktes zwischen Gewebe und Chip zu schließen.    «

Durch die Verwendung von rauscharmen Elektrolyt-Oxid-Silizium-Feldeffekttransistoren auf einem CMOS-Chip konnten Spannungsfluktuationen im Spalt zwischen Zellmembran und Chipoberfläche detektiert werden. Die theoretische Betrachtung der beitragenden Rauschprozesse berücksichtigte die Einflüsse von Schichtwiderstand, Ionenkanälen und der Bindung von Protonen an die Oxidoberfläche. Im Experiment wurde gezeigt, dass die Bindung von Protonen einen nicht zu vernachlässigenden Beitrag zum Rauschen lie...    »

Using low-noise electrolyte-oxide-silicon-field effect transistors on a CMOS-chip we were able to detect voltage fluctuations in the cleft formed by cell membrane and chip surface. Theoretical treatment of the contributing noise processes included the influence of the sheet resistance, ion channels and binding of protons to the oxide surface. It was experimentally shown that proton binding makes a significant noise contribution. We could extract spatial maps of the sheet resistance from noise data of cell lines HEK293 and MDCK-II and snail neurons. For rabbit retina we determined the quality of the chip-tissue contact, which is important for neuronal interfacing applications.    «

Using low-noise electrolyte-oxide-silicon-field effect transistors on a CMOS-chip we were able to detect voltage fluctuations in the cleft formed by cell membrane and chip surface. Theoretical treatment of the contributing noise processes included the influence of the sheet resistance, ion channels and binding of protons to the oxide surface. It was experimentally shown that proton binding makes a significant noise contribution. We could extract spatial maps of the sheet resistance from noise da...    »