In dieser Arbeit wurden Halbleiter Nanodrähte und deren Wachstumsvorlagen für elektronische Anwendungen hergestellt und charakterisiert. Eine neuartige Strukturierungstechnik erlaubt eine hohe Kontrolle über den Ort der Synthese der Nanodrähte und deren Integrationsdichte. Nanodrähte aus unterschiedlichen Materialien wurden kontrolliert und reproduzierbar horizontal auf dem selben Substrat synthetisiert. Ge Nanodrähte wurden mit Hilfe der unkonventionellen Katalysatoren Bismuth und Indium synthetisiert und mit hochauflösender Transmission Elektronen Mikroskopie, Raman Spektroskopie und elektrischem Transport charakterisiert. Abhängig vom Durchmesser wurden sowohl einkristalline Nanodrähte als auch sogenannte Core-Shell Strukturen mit einkristallinem Kern und amorpher Hülle nachgewiesen. In Raman Messungen zeigten sich Quantum confinement Effekte aufgrund des geringen Durchmessers der Drähte. Elektrische Bauteile aus den synthetisierten Nanodrähten zeigen einen Feldeffekt.
«