We investigate structural and electro-optical properties of semiconductor nanostructures by spatially resolved spectroscopy. The first part is concerned with Raman measurements of self-assembled GaAs and Si nanowires. The main result is the identification of a Raman signature of wurtzite GaAs by spatially resolved single nanowire Raman spectroscopy. Furthermore, structural changes by annealing and a Raman enhancement of single GaAs nanowires are observed and discussed. The scope of the second part is the fabrication and micro-photoluminescence characterization of zero-dimensional states in 2fold Cleaved Edge Overgrowth nanostructures. Here, distinct excitonic ground states with large localization energies are achieved.      «

We investigate structural and electro-optical properties of semiconductor nanostructures by spatially resolved spectroscopy. The first part is concerned with Raman measurements of self-assembled GaAs and Si nanowires. The main result is the identification of a Raman signature of wurtzite GaAs by spatially resolved single nanowire Raman spectroscopy. Furthermore, structural changes by annealing and a Raman enhancement of single GaAs nanowires are observed and discussed. The scope of the seco...     »

Thema der Arbeit ist die Untersuchung struktureller und elektro-optischer Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen mittels ortsaufgelöster Spektroskopie. Der erste Teil befaßt sich mit Ramanmessungen selbstorganisierter GaAs und Si Nanodrähte. Das Hauptresultat ist der Nachweis einer Ramansignatur von wurtzitischem GaAs, die durch ortsaufgelöste Ramanspektroskopie an einzelnen Drähten gelingt. Weiterhin werden strukturelle Änderungen durch Tempern und die Erhöhung des Streuquerschnitts einzelner Nanodrähte im Vergleich zum Volumenmaterial diskutiert. Der zweite Teil thematisiert die Herstellung und Micro-Photolumineszenzuntersuchung von nulldimensionalen Nanostrukturen, die durch das zweifache Überwachsen von Spaltflächen definiert sind. Hier werden charakteristische exzitonische Grundzustände mit großen Lokalisierungsenergien erreicht.     «

Thema der Arbeit ist die Untersuchung struktureller und elektro-optischer Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen mittels ortsaufgelöster Spektroskopie. Der erste Teil befaßt sich mit Ramanmessungen selbstorganisierter GaAs und Si Nanodrähte. Das Hauptresultat ist der Nachweis einer Ramansignatur von wurtzitischem GaAs, die durch ortsaufgelöste Ramanspektroskopie an einzelnen Drähten gelingt. Weiterhin werden strukturelle Änderungen durch Tempern und die Erhöhung des Streuquerschnitts einze...     »