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Originaltitel:
Simulation and Modeling of SiC High Power Diodes
Übersetzter Titel:
Simulation und Modellerung von SiC-Hochleistungsdioden
Autor:
Huang, Yaren
Jahr:
2022
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.)
Gutachter:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Kaminski, Nando (Prof. Dr.); Schrag, Gabriele (Priv.-Doz. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik
Stichworte:
SiC; MPS; Diodes, Surge Current
Übersetzte Stichworte:
SiC; Dioden; Stroßstrombetrieb
TU-Systematik:
ELT 200
Kurzfassung:
This work focusses on the optimization of 4.5kV SiC MPS diodes, with a view to the trade-off between the nominal and the surge current operation modes. An analytical compact model describing the impact of the geometrical and physical parameters on this trade-off has been developed. Based on this compact model, we propose several novel device structures. We provide physical explanations for the impact of non-ideal Ohmic contact on the fabricated diodes. We performed numerical simulations of the r...     »
Übersetzte Kurzfassung:
Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Optimierung von 4.5kV-SiC-MPS Dioden hinsichtlich ihres Verhaltens im Nenn- und im Stoßstrombetrieb. Mit Hilfe eines in dieser Arbeit entwickelten analytischen Kompaktmodells wird der Einfluss geometrischer und physikalischer Parameter auf das Bauelementverhalten untersucht und hieraus neuartige, verbesserte Konzepte abgeleitet. Desweiteren wurde mit Hilfe von Computersimulationen der Einfluss nichtidealer ohmscher Kontakte untersucht und die Robustheit von...     »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1661551
Eingereicht am:
30.09.2020
Mündliche Prüfung:
17.05.2022
Dateigröße:
4332499 bytes
Seiten:
90
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220517-1661551-1-3
Letzte Änderung:
12.09.2022
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