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Original title:
Simulation and Modeling of SiC High Power Diodes
Translated title:
Simulation und Modellerung von SiC-Hochleistungsdioden
Author:
Huang, Yaren
Year:
2022
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Advisor:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.)
Referee:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Kaminski, Nando (Prof. Dr.); Schrag, Gabriele (Priv.-Doz. Dr.)
Language:
en
Subject group:
ELT Elektrotechnik
Keywords:
SiC; MPS; Diodes, Surge Current
Translated keywords:
SiC; Dioden; Stroßstrombetrieb
TUM classification:
ELT 200
Abstract:
This work focusses on the optimization of 4.5kV SiC MPS diodes, with a view to the trade-off between the nominal and the surge current operation modes. An analytical compact model describing the impact of the geometrical and physical parameters on this trade-off has been developed. Based on this compact model, we propose several novel device structures. We provide physical explanations for the impact of non-ideal Ohmic contact on the fabricated diodes. We performed numerical simulations of the r...     »
Translated abstract:
Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Optimierung von 4.5kV-SiC-MPS Dioden hinsichtlich ihres Verhaltens im Nenn- und im Stoßstrombetrieb. Mit Hilfe eines in dieser Arbeit entwickelten analytischen Kompaktmodells wird der Einfluss geometrischer und physikalischer Parameter auf das Bauelementverhalten untersucht und hieraus neuartige, verbesserte Konzepte abgeleitet. Desweiteren wurde mit Hilfe von Computersimulationen der Einfluss nichtidealer ohmscher Kontakte untersucht und die Robustheit von...     »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1661551
Date of submission:
30.09.2020
Oral examination:
17.05.2022
File size:
4332499 bytes
Pages:
90
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20220517-1661551-1-3
Last change:
12.09.2022
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