In dieser Arbeit werden die Auswirkungen von Unordnung auf 3D-van-der-Waals-Materialien untersucht, wobei der Schwerpunkt auf dünnen Schichten aus MoTe2 und HfTe5 liegt. Mit Hilfe fortschrittlicher Techniken wie der Raster-Photostrom-Mikroskopie und der Raman-Spektroskopie untersuchen wir, wie sich Defekte, wie z. B. lokalisierte Verspannungen, auf die elektronischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien auswirken. Diese Erkenntnisse könnten neue Anwendungen in der Elektronik und Optoelektronik ermöglichen, indem die Unordnung in diesen Materialien kontrolliert wird.     «

In dieser Arbeit werden die Auswirkungen von Unordnung auf 3D-van-der-Waals-Materialien untersucht, wobei der Schwerpunkt auf dünnen Schichten aus MoTe2 und HfTe5 liegt. Mit Hilfe fortschrittlicher Techniken wie der Raster-Photostrom-Mikroskopie und der Raman-Spektroskopie untersuchen wir, wie sich Defekte, wie z. B. lokalisierte Verspannungen, auf die elektronischen und optischen Eigenschaften dieser Materialien auswirken. Diese Erkenntnisse könnten neue Anwendungen in der Elektronik und Optoel...     »