Ferromagnetische Einzelladungs-Transistoren (F-SET) ermöglichen einen Zugang zum reichhaltigen Wechselspiel zwischen Einzelladungs-Effekten einerseits und tunnelmagnetoresistiven Effekten andererseits. Um dieses Wechselspiel experimentell untersuchen zu können, ist sowohl ein Prozess zu ihrer Herstellung entwickelt, wie auch ein Messaufbau realisiert worden, der eine RMS-Messauflösung von deutlich unter 300 fA ermöglicht. Mit Hilfe dieses Prozesses konnten F-SET hergestellt werden, deren Verhalten im normalleitenden Regime bei hinreichend starken, äußeren Magnetfeldern sehr gut im Rahmen einer um einige Umwelteinflüsse erweiterten Orthodoxen Theorie (OT) beschrieben werden kann. Zu diesem Zweck ist auf Basis der so erweiterten OT ein Algorithmus implementiert worden, mit dessen Hilfe die Messdaten sehr gut reproduziert werden können. Im Bereich kleiner Magnetfelder ist das Verhalten der Bauelemente mit hoher Wahrscheinlichkeit von tunnelmagnetoresistiven Effekten geprägt.     «

Ferromagnetische Einzelladungs-Transistoren (F-SET) ermöglichen einen Zugang zum reichhaltigen Wechselspiel zwischen Einzelladungs-Effekten einerseits und tunnelmagnetoresistiven Effekten andererseits. Um dieses Wechselspiel experimentell untersuchen zu können, ist sowohl ein Prozess zu ihrer Herstellung entwickelt, wie auch ein Messaufbau realisiert worden, der eine RMS-Messauflösung von deutlich unter 300 fA ermöglicht. Mit Hilfe dieses Prozesses konnten F-SET hergestellt werden, deren Verhalt...     »

Ferromagnetic single charge transistors (F-SET) offer an approach to the rich interplay between single charging effects and tunnel magneto resistance effects. To investigate this interplay experimentally, a process for fabricating these devices has been developed and a measurement system has been realized, which offers a resolution far better than 300 fA. With this process F-SETs were fabricated, which show a behaviour in the normal conducting regime accessible by applying a sufficiently strong external magnetic field, which can be described with an extended orthodox theory (OT) comprising some environmental effects. To achieve this an algorithm based on the extended OT has been implemented, which is capable of reproducing the measured data very well. In the regime of small magnetic fields the behaviour of the devices is most probably governed by tunnel magneto resistance effects.     «

Ferromagnetic single charge transistors (F-SET) offer an approach to the rich interplay between single charging effects and tunnel magneto resistance effects. To investigate this interplay experimentally, a process for fabricating these devices has been developed and a measurement system has been realized, which offers a resolution far better than 300 fA. With this process F-SETs were fabricated, which show a behaviour in the normal conducting regime accessible by applying a sufficiently strong...     »