Einer der ausschlaggebenden Parameter der Neuron-Silizium-Kopplung ist der zweidimensionale Flächenwiderstand des Spalts zwischen Zelle und Siliziumchip. Durch eine Mikroskopietechnik, basierend auf der Anwendung des spannungssensitiven Farbstoffs Annine-5, kann dieser bestimmt werden. Für die Zelllinien HEK293 und MDCK-II sowie für Ratten- und Schneckenneuronen ergaben sich unter Standardbedingungen Flächenwiderstände von etwa 10MOhm. Zusammen mit dem ebenfalls gemessenen Zell-Substrat-Abstand zeigte sich, dass der spezifische Widerstand des Spaltelektrolyten für alle untersuchten Systeme identisch mit dem des Bades ist. Eine systematische Untersuchung unter Verwendung unterschiedlicher Badelektrolyte zeigte eine Proportionalität zwischen dem Flächenwiderstand und dem spezifischen Badwiderstand. Durch einen hochohmigen Elektrolyten kann also die Zell-Silizium-Kopplung verbessert werden.     «

Einer der ausschlaggebenden Parameter der Neuron-Silizium-Kopplung ist der zweidimensionale Flächenwiderstand des Spalts zwischen Zelle und Siliziumchip. Durch eine Mikroskopietechnik, basierend auf der Anwendung des spannungssensitiven Farbstoffs Annine-5, kann dieser bestimmt werden. Für die Zelllinien HEK293 und MDCK-II sowie für Ratten- und Schneckenneuronen ergaben sich unter Standardbedingungen Flächenwiderstände von etwa 10MOhm. Zusammen mit dem ebenfalls gemessenen Zell-Substrat-Abstand...     »

One crucial parameter of neuron-silicon-coupling is the two-dimensional sheet-resistance of the cleft between cell and silicon-chip. This resistance can be determined by a microscopy technique based on the use of the voltagesensitive dye Annine-5. For the cell-lines HEK293 and MDCK-II as well as for rat- and snail-neurons a sheet-resistance of 10MOhm could be determined under standard conditions. Together with the separately measured sell-substrate-separation no differences in the specific resistance of bath- and cleft-electrolyte could be observed. A systematic variation of the bath-electrolyte showed a direct proportionality between the two-dimensional sheet-resistance of the cleft and the specific resistance of the bath. The cell-silicon-coupling can be enhanced by the use of high-resistance electrolyte.     «

One crucial parameter of neuron-silicon-coupling is the two-dimensional sheet-resistance of the cleft between cell and silicon-chip. This resistance can be determined by a microscopy technique based on the use of the voltagesensitive dye Annine-5. For the cell-lines HEK293 and MDCK-II as well as for rat- and snail-neurons a sheet-resistance of 10MOhm could be determined under standard conditions. Together with the separately measured sell-substrate-separation no differences in the specific resis...     »