Während die klassische Halbleiterelektronik auf dem Ladungsfreiheitsgrad der Elektronen beruht, nutzt die Magnetoelektronik darüber hinaus auch den Spin. Für Bauelemente der Magnetoelektronik auf Basis des Tunnelmagnetowiderstands benötigt man Materialien mit hoher Spinpolarisation. Während in den üblicherweise benutzten Übergangsmetallen die Spinpolarisation kleiner als 60% ist, können Übergangsmetalloxide eine vollständige Spinpolarisation besitzen. Es wird gezeigt, dass Korngrenzen in Übergangsmetalloxiden ideale magnetische Tunnelkontakte sein können. Das in dieser Arbeit erstmalig als epitaktischer dünner Film gewachsene Doppelperowskit Sr2CrWO6 ist aufgrund seiner Curie-Temperatur von über 400 Kelvin und der theoretisch erwarteten vollständigen Spinpolarisation ein aussichtsreicher Kandidat für zukünftige Anwendungen in der Magnetoelektronik.     «

Während die klassische Halbleiterelektronik auf dem Ladungsfreiheitsgrad der Elektronen beruht, nutzt die Magnetoelektronik darüber hinaus auch den Spin. Für Bauelemente der Magnetoelektronik auf Basis des Tunnelmagnetowiderstands benötigt man Materialien mit hoher Spinpolarisation. Während in den üblicherweise benutzten Übergangsmetallen die Spinpolarisation kleiner als 60% ist, können Übergangsmetalloxide eine vollständige Spinpolarisation besitzen. Es wird gezeigt, dass Korngrenzen in Übergan...     »

The classical semiconductor electronic is based on the charge degree of freedom. Magnetoelectronics additionally uses the spin degree of freedom. For magnetoelectronic devices based on the tunneling magnetoresistance, materials with a high spin polarization are necessary. Transition metal oxides can have a full spinpolarization compared to transition metals, which have a spinpolarization smaller than 60%. It is shown that grain boundary junctions in transition metal oxides are perfect magnetic tunnel junctions. The double perovskite Sr2CrWO6 with a Curie-temperature above 400 K and a theoretical predicted full spinpolarization is an interesting candidate for future magnetoelectronic devices. During this thesis work it has been grown as epitaxial thin film for the first time.     «

The classical semiconductor electronic is based on the charge degree of freedom. Magnetoelectronics additionally uses the spin degree of freedom. For magnetoelectronic devices based on the tunneling magnetoresistance, materials with a high spin polarization are necessary. Transition metal oxides can have a full spinpolarization compared to transition metals, which have a spinpolarization smaller than 60%. It is shown that grain boundary junctions in transition metal oxides are perfect magnetic t...     »