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Original title:
Engineering of Si(111) surfaces by electrochemical deposition of organic layers from diazonium salt solutions
Translated title:
Engineering von Si(111) Oberflächen durch elektrochemische Abscheidung organischer Schichten aus Diazoniumsalz-Lösungen
Author:
Hartig, Günther Rudolf Prosper
Year:
2002
Document type:
Dissertation
Institution:
Fakultät für Physik
Advisor:
Dittrich, T. (Dr.); Rappich, J. (Dr.)
Referee:
Koch, Frederick (Prof. Ph.D.); Stimming, Ulrich (Prof. Dr.)
Format:
Text
Language:
en
Subject group:
PHY Physik
Keywords:
organic monolayer on oxide free Si(111); electrochemical deposition; benzene radical; Photovoltage; Photoluminescence; DFT-calculation; band bending; defects; dipole moment; diffusion constant
Translated keywords:
organische Monolage auf H-terminiertem Si(111); elektrochemische Abscheidung; Benzol-Radikal; Photo-Spannung; Photolumineszenz; DFT-Rechnungen; Bandverbiegung; Defekte; Dipolmoment; Diffusionskonstante
Controlled terms:
Silicium; Kristallfläche; Diazoniumverbindungen; Galvanische Abscheidung
TUM classification:
PHY 690d; PHY 658d
Abstract:
A method is presented for the electrochemical deposition of organic monolayers on Si(111) surfaces from aqueous solutions of diazonium salts. The deposition process at fixed cathodic potential is in-situ monitored by current, photvoltage and photoluminescence measurements. The process is based on the formation of radicals from diazonium ions and reaction of the benzene radicals with the Si surface. There is a self-limitation in current density during the deposition of benzene compounds on atomic...    »
Translated abstract:
Eine Methode zur elektrochemischen Abscheidung von organischen Monolagen auf Si(111) Oberflächen aus wässrigen Diazoniumsalz-Lösungen wurde mit Hilfe von Strom-Spannungs-, Photo-Spannungs- und Photolumineszenz-Messungen entwickelt. In-situ Strom-Messungen zeigen eine selbstlimitierte Abscheidung der bei festem Potential gebildeten Benzol-Radikale auf atomar glatten H-terminierten Si(111) Oberflächen, während auf rauhen H-terminierten und auf oxidierten Si(111) Oberflächen dicke organische Schich...    »
Publication :
Universitätsbibliothek der TU München
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=602926
Date of submission:
03.07.2002
Oral examination:
25.07.2002
File size:
6762295 bytes
Pages:
131
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss2002072513599
Last change:
20.08.2007
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